據(jù)外媒報道，日本名古屋大學(xué)的研究團(tuán)隊近日開發(fā)了一種創(chuàng)新方法，成功在保持LED效率的基礎(chǔ)上顯著提升其亮度。這一突破性研究有望降低LED的生產(chǎn)成本和環(huán)境負(fù)擔(dān)， 同時在可見光通信及虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)眼鏡等領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。

圖片來源：Optics.org

　　相關(guān)研究成果已以《如何制造高內(nèi)量子效率的半極性InGaN發(fā)光二極管：內(nèi)部場的重要性》為題，發(fā)表在權(quán)威期刊《激光與光子學(xué)評論》上。

　　眾所周知，銦鎵氮化物L(fēng)ED以其卓越效率而著稱，但通常僅能在低功率狀態(tài)下高效運(yùn)作。為了實(shí)現(xiàn)更高亮度，需增加其功率輸入，但這往往會導(dǎo)致效率降低，即所謂的“效率下滑”現(xiàn)象。

　　為解決這一問題，研究者們巧妙地通過傾斜InGaN層并采用特殊切割方式改變晶體極化特性 ，成功減少了效率下滑。他們成功在成本較低的藍(lán)寶石基底上制造出(101?3)方向的LED，這些LED在高功率條件下展現(xiàn)出卓越的效率。

　　這一創(chuàng)新發(fā)現(xiàn)為LED技術(shù)的未來發(fā)展開辟了新途徑，包括制造更高效、更明亮的Micro LED顯示屏，適用于移動設(shè)備和大屏幕電視;研發(fā)適用于汽車和特種工業(yè)照明的更高電流密度LED;以及推動可見光通信技術(shù)和VR眼鏡中更快開關(guān)速度的LED發(fā)展。

　　不過，研究人員表示，在藍(lán)寶石基底上，未來研究極有可能無法找到比這種切割方向更優(yōu)化的方案。